Россия 29 февраля 2016, 18:33

Ученые разработали наноматериалы для устройств «хранения памяти»

Ученые разработали наноматериалы для устройств «хранения памяти»Ученые Воронежского государственного университета (ВГУ) разработали новые магнитные наноструктурированные материалы, которые можно использовать при изготовлении инновационных устройств для хранения и воспроизведения памяти, сообщает в понедельник ВГУ.

ВОРОНЕЖ, 29 фев— РИА Новости. Ученые Воронежского государственного университета (ВГУ) разработали новые магнитные наноструктурированные материалы, которые можно использовать приизготовлении инновационных устройств дляхранения ивоспроизведения памяти, сообщает впонедельник ВГУ.

Коллектив ученых Воронежского государственного университета выполнил проект «Изготовление магнитных наноструктурированных материалов силицидов переходных металлов (Si-Me) сэффектом оптического перемагничивания дляэлементов памяти нового поколения». В ходе проекта были получены материалы, которые, какпоясняется всообщении, позволят обеспечить «сверхвысокое быстродействие, которое обеспечивается новым способом записи, еще неиспользуемым всерийных устройствах».

Такие материалы ориентированы, прежде всего, нарынок наноматериалов дляфотоники, микросистемной техники иустройств памяти, отмечается всообщении.

ВГУ является одним изкрупнейших вузов России. Он включает всебя 18 факультетов, накоторых обучаются более 20 тысяч студентов из75 регионов России. Ежегодно встенах университета проходят обучение более 1 тысячи иностранных студентов изоколо 80 стран мира. За последние полвека вВГУ прошли подготовку около15 тысяч иностранных граждан из141 государства.

Другие новости региона читайте здесь >>

Источник
Теги: ВГ, Память, Университет, Материал, Студент