IBM совершила прорыв в компьютерной памяти

Искомые полупроводники обладают возможностью менять собственное физическое состояние, выраженное упорядочиванием атомов, из кристаллического в аморфное и обратно путем приложения небольшой порции электричества.
Специалистам исследовательского подразделения IBM в Цюрихе (Швейцария) удалось совершить прорыв в области разработки памяти с изменяемым фазовым состоянием (PCM).
Понравился этот пост? Подпишись на рассылку
(Всего одно письмо в неделю, чтобы ничего не пропустить)
